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Inhaltsangabe:Zusammenfassung: Multikristalline Silizium-Germanium-Kristalle mit bis zu 15 at% Ge wurden ohne Keim in einem Tiegel gezüchtet. Die mikrostrukturellen Eigenschaften wurden nicht von der in dieser Arbeit entwickelten Tiegelkonstruktion beeinflusst. Die Kristalle zeigen mit ± 0,2 at% (absolut) geringe Ge-Fluktuationen und haben niedrige Versetzungsdichten im Bereich von 105 cm-2. Die Segregation liess sich mit der Pfann-Formel für eine vollständig durchmischte Schmelze gut beschreiben. Der beobachtete effektive Ge-Verteilungskoeffizient fiel von 0,35 zu Beginn der Züchtung auf 0,16 am Ende der kontrollierten Erstarrung. Solarzellen wurden aus SiGe-Wafern mit 11 at% Ge prozessiert. Sie haben Wirkungsgrade von bis zu 4,8 %. LBIC-Messungen zeigen Zellbereiche mit einer internen Quanten-Effizienz von über 90 %. Starke Kurzschlussströme über den Rand der Zellen und unter Kontaktfingern konnten in Thermographie-Untersuchungen nachgewiesen werden. Inhaltsverzeichnis:Inhaltsverzeichnis: 1.Grundlagen5 1.1Das System Silizium-Germanium5 1.1.1Phasendiagramm5 1.1.2Verteilungskoeffizient k6 1.1.3Makrosegregation8 1.1.4Konstitutionelle Unterkühlung9 1.1.5Physikalische Eigenschaften10 1.1.6Kristallstruktur12 1.1.7Ursachen für Versetzungen12 1.2Ergebnisse aus der Literatur15 1.3Methodisches Vorgehen17 2.Kristallzüchtung20 2.1Verwendete Züchtungsapparatur20 2.2Züchtung in einem elektromagnetischen Mittelfrequenzfeld22 2.3Der Tiegel25 2.4Die Züchtung28 2.4.1Züchtungsablauf28 2.4.2Temperaturmessung29 2.5Proben-Präparation33 2.5.1Polieren33 3.Segregation34 3.1Axiale Germanium-Konzentrations-Verläufe34 3.1.2Diskussion42 3.1.3Verlauf der Phasengrenze46 3.2Mikrosegregation47 4.Eigenschaften von multikristallinem Silizium-Germanium53 4.1Defekte in multikristallinem Silizium-Germanium53 4.1.1Anätzen von Defekten53 4.1.2Versetzungen56 4.1.3Korngrenzen59 4.2Elektrische Eigenschaften61 4.2.1Diffusionslänge61 4.2.2Ortsaufgelöste Bestimmung des Widerstands63 4.2.3Ladungsträger-Beweglichkeit und Dichte der Majoritäten64 4.3Sauerstoff in Silizium-Germanium65 4.4Bandlücke als Funktion der Ge-Konzentration71 5.SiGe-Solarzellen73 5.1Solar-Zell-Prozessierung73 5.2Charakterisierung73 5.3Diskussion der Ergebnisse77 Zusammenfassung und Ausblick79 Literaturverzeichnis81 Anhang87 A.Symbole und Abkürzungen87 B.Abbildungsverzeichnis89 C.Tabellenverzeichnis92 D.Materialeigenschaften von Silizium und Germanium93 E.Übersicht [...] eBooks > Fachbücher > Physik & Astronomie; eBooks > Sachbücher > Natur & Technik , Diplomica Verlag, Peter Raue, Diplomica Verlag, Raue<
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Inhaltsangabe:Zusammenfassung: Multikristalline Silizium-Germanium-Kristalle mit bis zu 15 at% Ge wurden ohne Keim in einem Tiegel gezüchtet. Die mikrostrukturellen Eigenschaften wurden n… Plus…
Inhaltsangabe:Zusammenfassung: Multikristalline Silizium-Germanium-Kristalle mit bis zu 15 at% Ge wurden ohne Keim in einem Tiegel gezüchtet. Die mikrostrukturellen Eigenschaften wurden nicht von der in dieser Arbeit entwickelten Tiegelkonstruktion beeinflusst. Die Kristalle zeigen mit ± 0,2 at% (absolut) geringe Ge-Fluktuationen und haben niedrige Versetzungsdichten im Bereich von 105 cm-2. Die Segregation ließ sich mit der Pfann-Formel für eine vollständig durchmischte Schmelze gut beschreiben. Der beobachtete effektive Ge-Verteilungskoeffizient fiel von 0,35 zu Beginn der Züchtung auf 0,16 am Ende der kontrollierten Erstarrung. Solarzellen wurden aus SiGe-Wafern mit 11 at% Ge prozessiert. Sie haben Wirkungsgrade von bis zu 4,8 %. LBIC-Messungen zeigen Zellbereiche mit einer internen Quanten-Effizienz von über 90 %. Starke Kurzschlussströme über den Rand der Zellen und unter Kontaktfingern konnten in Thermographie-Untersuchungen nachgewiesen werden. Inhaltsverzeichnis:Inhaltsverzeichnis: 1.Grundlagen5 1.1Das System Silizium-Germanium5 1.1.1Phasendiagramm5 1.1.2Verteilungskoeffizient k6 1.1.3Makrosegregation8 1.1.4Konstitutionelle Unterkühlung9 1.1.5Physikalische Eigenschaften10 1.1.6Kristallstruktur12 1.1.7Ursachen für Versetzungen12 1.2Ergebnisse aus der Literatur15 1.3Methodisches Vorgehen17 2.Kristallzüchtung20 2.1Verwendete Züchtungsapparatur20 2.2Züchtung in einem elektromagnetischen Mittelfrequenzfeld22 2.3Der Tiegel25 2.4Die Züchtung28 2.4.1Züchtungsablauf28 2.4.2Temperaturmessung29 2.5Proben-Präparation33 2.5.1Polieren33 3.Segregation34 3.1Axiale Germanium-Konzentrations-Verläufe34 3.1.2Diskussion42 3.1.3Verlauf der Phasengrenze46 3.2Mikrosegregation47 4.Eigenschaften von multikristallinem Silizium-Germanium53 4.1Defekte in multikristallinem Silizium-Germanium53 4.1.1Anätzen von Defekten53 4.1.2Versetzungen56 4.1.3Korngrenzen59 4.2Elektrische Eigenschaften61 4.2.1Diffusionslänge61 4.2.2Ortsaufgelöste Bestimmung des Widerstands63 4.2.3Ladungsträger-Beweglichkeit und Dichte der Majoritäten64 4.3Sauerstoff in Silizium-Germanium65 4.4Bandlücke als Funktion der Ge-Konzentration71 5.SiGe-Solarzellen73 5.1Solar-Zell-Prozessierung73 5.2Charakterisierung73 5.3Diskussion der Ergebnisse77 Zusammenfassung und Ausblick79 Literaturverzeichnis81 Anhang87 A.Symbole und Abkürzungen87 B.Abbildungsverzeichnis89 C.Tabellenverzeichnis92 D.Materialeigenschaften von Silizium und Germanium93 E.Übersicht [...] Media eBooks, 111 Seiten, Media > Books, Diplomica Verlag, 2002<
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Données bibliographiques du meilleur livre correspondant
Informations détaillées sur le livre - Züchtung und Charakterisierung von siliziumreichem, multikristallinem Silizium-Germanium für Solarzellenanwendungen
EAN (ISBN-13): 9783832460693 ISBN (ISBN-10): 3832460691 Date de parution: 2002 Editeur: diplom.de
Livre dans la base de données depuis 2007-04-11T21:59:39+02:00 (Zurich) Page de détail modifiée en dernier sur 2024-04-10T22:42:16+02:00 (Zurich) ISBN/EAN: 3832460691
ISBN - Autres types d'écriture: 3-8324-6069-1, 978-3-8324-6069-3 Autres types d'écriture et termes associés: Auteur du livre: peter, raue Titre du livre: germanium, silizium
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