[EAN: 9783841789563], Neubuch, [PU: Editions Universitaires Europeennes EUE Feb 2012], This item is printed on demand - Print on Demand Neuware - En se basant sur le modèle des bandes d é… Plus…
[EAN: 9783841789563], Neubuch, [PU: Editions Universitaires Europeennes EUE Feb 2012], This item is printed on demand - Print on Demand Neuware - En se basant sur le modèle des bandes d énergie nous avons proposé un modèle élaboré du courant de fuite drain induit par la grille qui tient compte des distributions spatiales réelles du champ électrique transversal et du profile du dopage dans la région de recouvrement grille drain. L'effet tunnel bande à bande dans le transistor est attribué non seulement à l'existence d'un champ électrique transversal mais aussi au champ électrique latéral. Par conséquent, le courant de fuite dû à l'effet tunnel bande à bande n'est plus constant pour la même valeur de la tension drain-grille ayant des tensions drain et grille différentes et il dépend fortement des tensions de polarisation du drain et de la grille séparément. En modélisant la densité des défauts localisés dans l'oxyde par une distribution Gaussienne les résultats de simulation révèlent que le courant de fuite dépend des deux types des défauts (accepteurs et donneurs). Une méthode numérique a été proposée pour le calcul du taux tunnel bande à bande assisté par les états d'interface afin de clarifier l'impact des états d'interface sur le courant de fuite. 160 pp. Französisch<
En se basant sur le modèle des bandes d'énergie nous avons proposé un modèle élaboré du courant de fuite drain induit par la grille qui tient compte des distributions spatiales réelles du… Plus…
En se basant sur le modèle des bandes d'énergie nous avons proposé un modèle élaboré du courant de fuite drain induit par la grille qui tient compte des distributions spatiales réelles du champ électrique transversal et du profile du dopage dans la région de recouvrement grille drain. L'effet tunnel bande à bande dans le transistor est attribué non seulement à l'existence d'un champ électrique transversal mais aussi au champ électrique latéral. Par conséquent, le courant de fuite dû à l'effet tunnel bande à bande n'est plus constant pour la même valeur de la tension drain-grille ayant des tensions drain et grille différentes et il dépend fortement des tensions de polarisation du drain et de la grille séparément. En modélisant la densité des défauts localisés dans l'oxyde par une distribution Gaussienne les résultats de simulation révèlent que le courant de fuite dépend des deux types des défauts (accepteurs et donneurs). Une méthode numérique a été proposée pour le calcul du taux tunnel bande à bande assisté par les états d'interface afin de clarifier l'impact des états d'interface sur le courant de fuite. Buch (fremdspr.) Abdelkader Touhami Taschenbuch, Éditions universitaires européennes, 06.02.2012, Éditions universitaires européennes, 2012<
[EAN: 9783841789563], Neubuch, [PU: Editions Universitaires Europeennes EUE Feb 2012], This item is printed on demand - Print on Demand Neuware - En se basant sur le modèle des bandes d é… Plus…
[EAN: 9783841789563], Neubuch, [PU: Editions Universitaires Europeennes EUE Feb 2012], This item is printed on demand - Print on Demand Neuware - En se basant sur le modèle des bandes d énergie nous avons proposé un modèle élaboré du courant de fuite drain induit par la grille qui tient compte des distributions spatiales réelles du champ électrique transversal et du profile du dopage dans la région de recouvrement grille drain. L'effet tunnel bande à bande dans le transistor est attribué non seulement à l'existence d'un champ électrique transversal mais aussi au champ électrique latéral. Par conséquent, le courant de fuite dû à l'effet tunnel bande à bande n'est plus constant pour la même valeur de la tension drain-grille ayant des tensions drain et grille différentes et il dépend fortement des tensions de polarisation du drain et de la grille séparément. En modélisant la densité des défauts localisés dans l'oxyde par une distribution Gaussienne les résultats de simulation révèlent que le courant de fuite dépend des deux types des défauts (accepteurs et donneurs). Une méthode numérique a été proposée pour le calcul du taux tunnel bande à bande assisté par les états d'interface afin de clarifier l'impact des états d'interface sur le courant de fuite. 160 pp. Französisch<
En se basant sur le modèle des bandes d'énergie nous avons proposé un modèle élaboré du courant de fuite drain induit par la grille qui tient compte des distributions spatiales réelles du… Plus…
En se basant sur le modèle des bandes d'énergie nous avons proposé un modèle élaboré du courant de fuite drain induit par la grille qui tient compte des distributions spatiales réelles du champ électrique transversal et du profile du dopage dans la région de recouvrement grille drain. L'effet tunnel bande à bande dans le transistor est attribué non seulement à l'existence d'un champ électrique transversal mais aussi au champ électrique latéral. Par conséquent, le courant de fuite dû à l'effet tunnel bande à bande n'est plus constant pour la même valeur de la tension drain-grille ayant des tensions drain et grille différentes et il dépend fortement des tensions de polarisation du drain et de la grille séparément. En modélisant la densité des défauts localisés dans l'oxyde par une distribution Gaussienne les résultats de simulation révèlent que le courant de fuite dépend des deux types des défauts (accepteurs et donneurs). Une méthode numérique a été proposée pour le calcul du taux tunnel bande à bande assisté par les états d'interface afin de clarifier l'impact des états d'interface sur le courant de fuite. Buch (fremdspr.) Abdelkader Touhami Taschenbuch, Éditions universitaires européennes, 06.02.2012, Éditions universitaires européennes, 2012<
1Comme certaines plateformes ne transmettent pas les conditions d'expédition et que celles-ci peuvent dépendre du pays de livraison, du prix d'achat, du poids et de la taille de l'article, d'une éventuelle adhésion de la plateforme, d'une livraison directe par la plateforme ou via un prestataire tiers (Marketplace), etc. il est possible que les frais de livraison indiqués par eurolivre ne correspondent pas à ceux de la plateforme qui propose l'article.
Données bibliographiques du meilleur livre correspondant
Informations détaillées sur le livre - Modélisation du courant drain induit par la grille
EAN (ISBN-13): 9783841789563 ISBN (ISBN-10): 3841789560 Version reliée Livre de poche Date de parution: 2012 Editeur: Editions Universitaires Europeennes
Livre dans la base de données depuis 2008-06-21T00:08:58+02:00 (Zurich) Page de détail modifiée en dernier sur 2022-06-18T12:07:56+02:00 (Zurich) ISBN/EAN: 3841789560
ISBN - Autres types d'écriture: 3-8417-8956-0, 978-3-8417-8956-3 Autres types d'écriture et termes associés: Titre du livre: grill
