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Ion Implantation and Synthesis of Materials - Michael Nastasi|James W. Mayer
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Michael Nastasi|James W. Mayer:

Ion Implantation and Synthesis of Materials - Livres de poche

2010, ISBN: 3642062598

[EAN: 9783642062599], Neubuch, [PU: Springer Berlin Heidelberg], DIFFUSION DOPING IMPLANTEDSHALLOWJUNCTIONS IONIMPLANTATION IONRANGES ION-MODIFIEDMATERIALS SLICINGSILICON CRYSTAL DISTRIBU… Plus…

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Mayer, James W.; Nastasi, Michael:

Ion Implantation and Synthesis of Materials - Livres de poche

2010, ISBN: 3642062598

Edition reliée

Softcover reprint of hardcover 1st ed. 2006 Kartoniert / Broschiert Materialwissenschaft / Aggregatzustände, Teilchen- und Hochenergiephysik, Physikalische Chemie, Elektronische Geräte … Plus…

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Ion Implantation and Synthesis of Materials - Première édition

2010

ISBN: 9783642062599

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[ED: Kartoniert / Broschiert], [PU: Springer Berlin Heidelberg], Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Presents the basics and c… Plus…

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Ion Implantation and Synthesis of Materials - Livres de poche

2010, ISBN: 9783642062599

Mitwirkende: Mayer, James W. Springer, Taschenbuch, Auflage: Softcover reprint of hardcover 1st ed. 2006, 280 Seiten, Publiziert: 2010-02-12T00:00:01Z, Produktgruppe: Buch, Hersteller-Nr.… Plus…

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Ion Implantation and Synthesis of Materials - Livres de poche

2006, ISBN: 9783642062599

Ion Implantation and Synthesis of Materials ab 129.99 € als Taschenbuch: Softcover reprint of hardcover 1st ed. 2006. Aus dem Bereich: Bücher, Wissenschaft, Physik, Medien > Bücher nein B… Plus…

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Données bibliographiques du meilleur livre correspondant

Détails sur le livre
Ion Implantation and Synthesis of Materials
Auteur:
Titre:
ISBN:

9783642062599


Ion implantation is one of the key processing steps in silicon integrated circuit technology. Some integrated circuits require up to 17 implantation steps and circuits are seldom processed with less than 10 implantation steps. Controlled doping at controlled depths is an essential feature of implantation. Ion beam processing can also be used to improve corrosion resistance, to harden surfaces, to reduce wear and, in general, to improve materials properties. This book presents the physics and materials science of ion implantation and ion beam modification of materials. It covers ion-solid interactions used to predict ion ranges, ion straggling and lattice disorder. Also treated are shallow-junction formation and slicing silicon with hydrogen ion beams. Topics important for materials modification, such as ion-beam mixing, stresses, and sputtering, are also described.

Informations détaillées sur le livre - Ion Implantation and Synthesis of Materials


EAN (ISBN-13): 9783642062599
ISBN (ISBN-10): 3642062598
Version reliée
Livre de poche
Date de parution: 2010
Editeur: Springer Berlin Heidelberg
280 Pages
Poids: 0,427 kg
Langue: eng/Englisch

Livre dans la base de données depuis 2011-05-18T00:41:30+02:00 (Zurich)
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ISBN/EAN: 9783642062599

ISBN - Autres types d'écriture:
3-642-06259-8, 978-3-642-06259-9
Autres types d'écriture et termes associés:
Auteur du livre: michael nastasi, michael mayer, michael may, michael nast, james michael
Titre du livre: synthesis, ion

Données de l'éditeur

Auteur: Michael Nastasi; James W. Mayer
Titre: Ion Implantation and Synthesis of Materials
Editeur: Springer; Springer Berlin
263 Pages
Date de parution: 2010-02-12
Berlin; Heidelberg; DE
Imprimé / Fabriqué en
Langue: Anglais
106,99 € (DE)
109,99 € (AT)
118,00 CHF (CH)
POD
XIV, 263 p. 131 illus.

BC; Hardcover, Softcover / Physik, Astronomie/Atomphysik, Kernphysik; Teilchen- und Hochenergiephysik; Verstehen; Diffusion; Doping; Implanted shallow junctions; Ion implantation; Ion ranges; Ion-modified materials; Slicing silicon; crystal; distribution; materials properties; materials science; Accelerator Physics; Condensed Matter Physics; Optical Materials; Characterization and Analytical Technique; Physical Chemistry; Physik der kondensierten Materie (Flüssigkeits- und Festkörperphysik); Technische Anwendung von elektronischen, magnetischen, optischen Materialien; Werkstoffprüfung; Physikalische Chemie; BB

Ion implantation is one of the key processing steps in silicon integrated circuit technology. Some integrated circuits require up to 17 implantation steps and circuits are seldom processed with less than 10 implantation steps. Controlled doping at controlled depths is an essential feature of implantation. Ion beam processing can also be used to improve corrosion resistance, to harden surfaces, to reduce wear and, in general, to improve materials properties. This book presents the physics and materials science of ion implantation and ion beam modification of materials. It covers ion-solid interactions used to predict ion ranges, ion straggling and lattice disorder. Also treated are shallow-junction formation and slicing silicon with hydrogen ion beams. Topics important for materials modification, such as ion-beam mixing, stresses, and sputtering, are also described.
Presents the basics and current state of the art in the field of ion implantation-based materials physics Includes supplementary material: sn.pub/extras
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